国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN 119277766 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构的形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括阵列区域和外围区域，阵列区域上包括多个间隔排布的有源柱；形成覆盖阵列区域和外围区域的介质层、覆盖外围区域的介质层的侧壁和顶面的隔离层、以及覆盖隔离层的覆盖层，介质层沿第一方向的宽度为40nm～100nm；去除阵列区域的部分介质层、并去除外围区域的覆盖层，暴露有源柱；形成覆盖阵列区域和外围区域的导电材料层；去除阵列区域的部分导电材料层和外围区域的全部的导电材料层，形成与有源柱电连接的导电层。本公开降低了半导体结构的制造成本，并改善了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。