国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司申请一项名为“基于面积高效鳍片的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管”的专利，公开号 CN 119403177 A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本公开涉及一种基于面积高效鳍片的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。一种设备包含：衬底，其具有第一掺杂，所述衬底包括具有第二掺杂的第一阱及具有第三掺杂的第二阱；及鳍片，其安置在所述衬底上。所述鳍片定位在所述第一阱上方，且至少部分在所述第二阱上方延伸。所述鳍片包含：第一掺杂区，其安置在所述第一阱上并具有比所述第二掺杂轻的掺杂；及第二掺杂区，其安置在所述第一阱上具有所述第三掺杂。