国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“集成不同电子组件的半导体电子装置的制造过程及半导体电子装置”的专利，公开号CN 119403215 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开涉及集成不同电子组件的半导体电子装置的制造过程及半导体电子装置。为了制造半导体电子装置，提供一种晶片，该晶片具有半导体材料的基板层，该基板层具有第一部分和与第一部分不同的第二部分。在基板层的第一部分上生长单一半导体材料的外延区域。在基板层的第二部分上生长具有异质结构的外延多层。从外延区域形成基于单一半导体材料的第一电子组件，并且从异质结构形成基于异质结构的第二电子组件。形成第一电子组件包括在生长外延多层的步骤之后在外延区域中形成多个掺杂区域。