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南昌三盛半导体取得一项铂薄膜温度传感器及其制备方法专利

标签: 日期:2025-01-31 12:36来源:未知作者:admin
国家知识产权局信息显示,南昌三盛半导体有限公司取得一项名为一种铂薄膜温度传感器及其制备方法的专利,授权公告号 CN 118857496 B,申请日期为 2024 年 9 月。 天眼查资料显示,南昌三盛半导体有限公司,成立于2020年,位于南昌市,是一家以从事批发业为主

  国家知识产权局信息显示,南昌三盛半导体有限公司取得一项名为“一种铂薄膜温度传感器及其制备方法”的专利,授权公告号 CN 118857496 B,申请日期为 2024 年 9 月。

   天眼查资料显示,南昌三盛半导体有限公司,成立于2020年,位于南昌市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本100万人民币,实缴资本100万人民币。通过天眼查大数据分析,南昌三盛半导体有限公司共对外投资了3家企业,知识产权方面有商标信息7条,专利信息14条,此外企业还拥有行政许可5个。

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