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安德科铭取得一种半导体薄膜沉积用前驱体升华装置及方法专利

标签: 日期:2025-02-24 10:04来源:未知作者:admin
国家知识产权局信息显示,铜陵安德科铭电子材料科技有限公司取得一项名为一种半导体薄膜沉积用前驱体升华装置及方法的专利,授权公告号 CN 118987668 B,申请日期为2024年10月。 天眼查资料显示,铜陵安德科铭电子材料科技有限公司,成立于2020年,位于铜陵

  国家知识产权局信息显示,铜陵安德科铭电子材料科技有限公司取得一项名为“一种半导体薄膜沉积用前驱体升华装置及方法”的专利,授权公告号 CN 118987668 B,申请日期为2024年10月。

   天眼查资料显示,铜陵安德科铭电子材料科技有限公司,成立于2020年,位于铜陵市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本20000万人民币,实缴资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析,铜陵安德科铭电子材料科技有限公司参与招投标项目15次,专利信息33条,此外企业还拥有行政许可18个。

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