国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器及其制造方法”的专利，公开号CN 119277793 A，申请日期为2021年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该方法包括形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的介质层和牺牲层；形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；经由所述沟道孔去除所述牺牲层的至少一部分以形成凹陷；在所述凹陷内形成电荷存储部分，所述电荷存储部分设于相邻的所述介质层之间；去除所述牺牲层的其余部分以暴露所述电荷存储部分的背离所述沟道孔的一侧；以及将暴露的所述电荷存储部分的背离所述沟道孔一侧的至少一部分氧化为阻挡部分。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1390次，知识产权方面有商标信息946条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。