国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有锥形位元线接触点的存储器元件的制备方法”的专利，公开号 CN 119277772 A，申请日期为 2023 年 8 月。
专利摘要显示，本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括：形成一掺杂区在一半导体基底中；形成一字元线以跨经该掺杂区，使得一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区形成在该掺杂区中以及在该字元线的相对两侧上；形成一介电罩盖层以覆盖该字元线、该第一源极/漏极区以及该第二源极/漏极区；形成一第一开口而穿过该介电罩盖层以暴露该第一源极/漏极区，其中该第一开口沿着从该介电罩盖层的一上表面向该第一源极/漏极区的一方向而具有锥形轮廓；形成一位元线接触点在该第一开口中；形成一第二开口而穿过该介电罩盖层以暴露该第二源极/漏极区；以及形成一电容器接触点在该第二开口中。