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爱思开海力士申请列地址生成电路专利,提升半导体设备性能

标签: 日期:2025-02-04 08:41来源:未知作者:admin
国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为列地址生成电路和包括列地址生成电路的半导体设备的专利,公开号 CN 119380771 A,申请日期为2023年12月。 专利摘要显示,本公开的多种实施例描述了一种列地址生成电路和包括该列地址生成电路的半

  国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“列地址生成电路和包括列地址生成电路的半导体设备”的专利,公开号 CN 119380771 A,申请日期为2023年12月。

   专利摘要显示,本公开的多种实施例描述了一种列地址生成电路和包括该列地址生成电路的半导体设备。该列地址生成电路包括:命令集转换部,被配置为基于与第一时钟信号同步的第一命令集中包括的扇区信息生成列地址信息,并且通过响应于转换信号将关于第一时钟信号的列地址周期的信息替换为列地址信息来根据第一命令集输出第二命令集;以及列地址输出部,被配置为基于第二命令集输出列地址。

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