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三星电子:第二代3纳米和2纳米GAA技术开发均已步入正轨

标签: 日期:2023-07-27 10:27来源:未知作者:admin
据科创板日报,三星电子表示,内存业务的业绩较上一季度有所改善,因为预计AI应用的强劲需求导致DRAM出货量高于指导值,因此该业务重点关注高带宽内存(HBM)和 DDR5产品。三星电子还称,得益于3纳米工艺的稳定,代工业务正在顺利量产采用GAA技术的第三款产

  据科创板日报,三星电子表示,内存业务的业绩较上一季度有所改善,因为预计AI应用的强劲需求导致DRAM出货量高于指导值,因此该业务重点关注高带宽内存(HBM)和 DDR5产品。三星电子还称,得益于3纳米工艺的稳定,代工业务正在顺利量产采用GAA技术的第三款产品,第二代3纳米GAA技术和2纳米GAA技术的开发均已步入正轨并进展顺利。

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