国家知识产权局信息显示，珠海华汇智造半导体有限公司申请一项名为“改善热衰减的发光器件及其封装方法”的专利，公开号 CN 119384131 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善热衰减的发光器件及其封装方法，属于光电子制造技术领域。该发光器件包括：支架、发光二极管、隔热层和荧光粉层；所述发光二极管和所述隔热层位于所述支架的同一表面上，且所述隔热层包裹所述发光二极管，所述荧光粉层位于所述隔热层的远离所述支架的表面上，且所述荧光粉层与所述发光二极管相对。本公开实施例能改善荧光粉层受热易衰减的问题，提升发光器件的发光效果。
天眼查资料显示，珠海华汇智造半导体有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海华汇智造半导体有限公司参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息1条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可13个。