国家知识产权局信息显示，亿而得微电子股份有限公司申请一项名为“小面积共电压反熔丝阵列”的专利，公开号 CN 119277784 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明公开一种小面积共电压反熔丝阵列，属于存储器阵列领域，其包括多条字线、多条选择线、多条共电压线与多个反熔丝元件。字线包括第一字线与第二字线，选择线垂直共电压线与字线，选择线包括第一选择线。共电压线直接耦接在一起，共电压线包括第一共电压线与第二共电压线。第一字线与第二字线分别靠近第一共电压线与第二共电压线。每一反熔丝元件耦接两条字线、一条选择线与两条共电压线，并包括一第一反熔丝记忆晶胞与一第二反熔丝记忆晶胞。第一反熔丝记忆晶胞耦接第一字线、第一选择线与第一共电压线，第二反熔丝记忆晶胞耦接第二字线、第一选择线与第二共电压线。本发明减少了译码器的数量与整体面积。