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三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构

标签： 日期：2023-08-18 17:32来源:未知作者:admin
三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。报道称，这将使三星的进度超过SK海力士，后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。

　　三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。报道称，这将使三星的进度超过SK海力士，后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。

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