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宁波石墨烯创新中心申请增强型氮化物半导体晶体管结构专利,有效耗尽沟道层中的二维电子气

标签: 日期:2025-01-23 21:37来源:未知作者:admin
国家知识产权局信息显示,宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为一种增强型氮化物半导体晶体管结构的专利,公开号CN 119277804 A,申请日期为2024年9月。 专利摘要显示,本发明涉及一种增强型氮化物半导体晶体管结构,属于半导体技术领域,包括外延结构,

  国家知识产权局信息显示,宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为“一种增强型氮化物半导体晶体管结构”的专利,公开号CN 119277804 A,申请日期为2024年9月。

   专利摘要显示,本发明涉及一种增强型氮化物半导体晶体管结构,属于半导体技术领域,包括外延结构,所述外延结构包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和势垒层上的帽层,在所述外延结构表面制作晶体管结构的源极栅极以及漏极,所述势垒层上的帽层包含极化掺杂p型氮化物半导体结构,以及其上方的n型氮化物半导体结构。该增强型氮化物半导体晶体管结构,通过在帽层中设置p型极化掺杂结构,不仅可以实现相比于杂质掺杂更高的离化电荷和空穴浓度,有效耗尽沟道层中的二维电子气,同时避免Mg掺杂p型氮化物时的记忆效应,与P型极化掺杂层上方的n型层之间实现界面较好的pn结构,代替通常使用的金属半导体肖特基接触栅极,提高栅极的耐压并减少栅极漏电。

   天眼查资料显示,宁波石墨烯创新中心有限公司,成立于2017年,位于宁波市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本19600万人民币,实缴资本19600万人民币。通过天眼查大数据分析,宁波石墨烯创新中心有限公司共对外投资了24家企业,参与招投标项目383次,知识产权方面有商标信息12条,专利信息396条,此外企业还拥有行政许可5个。

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