国家知识产权局信息显示，上海瞻芯电子科技股份有限公司申请一项名为“碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件”的专利，公开号CN 119277803 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅LDMOS的结构及其形成方法，包括：形成第一阱区域；形成第二阱区域，第二阱区域与第一阱区域部分重叠，并且第二阱区域的注入深度小于第一阱区域的入深度；成第三区域，第三区域包含于第一阱区域中，且与第二阱区域部分重叠，并且第三区域的注入深度小于第二阱区域的注入深度；在第二阱区域的表面制作源极区域，其中，源极区域包括N+区域和P+区域，并且源极区域与第一阱区域部分重叠；在第三区域的表面制作漏极区域；在源极区域和第三区域之间的表面制作栅极区域，并形成栅极、源极、漏极的电极。本发明的优点在于，通过此方法得到的期间具有高耐压、尺寸小的特点，且制造工艺简单，有利于提高成品的良品率。
天眼查资料显示，上海瞻芯电子科技股份有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6487.5785万人民币，实缴资本6487.5785万人民币。通过天眼查大数据分析，上海瞻芯电子科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，知识产权方面有商标信息32条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可4个。