国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司、珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“沟槽功率器件及沟槽功率器件的制备方法”的专利，公开号 CN 119277805 A，申请日期为 2024年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽功率器件及沟槽功率器件的制备方法，该沟槽功率器件包括衬底和外延层，还包括至少一个沟槽栅结构，沟槽栅结构靠近衬底的表面与第一外延层接触，沟槽栅结构包括栅极和栅氧层；肖特基二极管结构，位于沟槽栅结构在第二方向上的一侧，肖特基二极管结构包括沿着第一方向叠层设置的绝缘层和多层掺杂层，绝缘层位于掺杂层靠近衬底的一侧，相邻的任意两层掺杂层具有不同的掺杂类型，其中，在第一方向上与衬底具有最大距离的掺杂层为第一掺杂层，其余掺杂层中的任意一层为第二掺杂层，第二掺杂层与栅极接触，绝缘层与栅氧层接触。以解决相关技术中沟槽功率器件栅极抗静电击穿能了和器件在开启状态下的漏电大的问题。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目22次，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可82个。