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芯联集成:正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线

标签: 日期:2024-02-28 09:48来源:未知作者:admin
芯联集成近期接受投资者调研时称,碳化硅(SiC)MOSFET产品性能好,技术含量高,产品高度集中应用在汽车行业。公司已经突破应用于主驱的平面碳化硅(SiC)MOSFET的技术,并已实现公司最新一代的碳化硅(SiC)MOSFET产品性能达到世界领先水平。同时,公司正在

  芯联集成近期接受投资者调研时称,碳化硅(SiC)MOSFET产品性能好,技术含量高,产品高度集中应用在汽车行业。公司已经突破应用于主驱的平面碳化硅(SiC)MOSFET的技术,并已实现公司最新一代的碳化硅(SiC)MOSFET产品性能达到世界领先水平。同时,公司正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线,也将于2024年通线。

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