该研究发现，利用半金属铋Bi作为二维材料的接触电极，可以大幅降低电阻并提高电流，实现接近量子极限的能效，有望挑战1nm以下制程的芯片。据介绍，该发现是由麻省理工团队首先发现的，随后台积电将“易沉积制程”进行优化，而台大电机系暨光电所教授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统”将元件通道成功缩小至纳米尺寸。此前报道，IBM在5月初首发了2nm工艺芯片，与当前主流的7nm芯片相比，IBM2nm芯片的性能预计提升45%，能耗降低75%。不过业界人士表示，由于IBM没有先进逻辑制程芯片的晶圆厂，因此其2nm工艺无法很快落地，“弯道超车”也比较困难。