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诺瓦尔德股份有限公司取得制备有机半导体层的方法等专利

标签： 日期：2025-02-25 21:17来源:未知作者:admin
国家知识产权局信息显示，诺瓦尔德股份有限公司取得一项名为制备有机半导体层的方法、用于该方法的组合 物以及有机电子器件的专利，授权公告号CN 113646916 B，申请日期为2020年2月。

　　国家知识产权局信息显示，诺瓦尔德股份有限公司取得一项名为“制备有机半导体层的方法、用于该方法的组合 物以及有机电子器件”的专利，授权公告号CN 113646916 B，申请日期为2020年2月。

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