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力晶积成电子申请具有可调稳压电容的堆叠式存储器及稳压电容的设定方法专利,形成逻辑芯片的稳压电容器

标签: 日期:2025-02-04 07:30来源:未知作者:admin
国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为具有可调稳压电容的堆叠式存储器及稳压电容的设定方法的专利,公开号CN 119380774 A,申请日期为2023年8月。 专利摘要显示,具有可调稳压电容的堆叠式存储器及稳压电容的设定方法,包括:

  国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“具有可调稳压电容的堆叠式存储器及稳压电容的设定方法”的专利,公开号CN 119380774 A,申请日期为2023年8月。

   专利摘要显示,具有可调稳压电容的堆叠式存储器及稳压电容的设定方法,包括:逻辑芯片;及存储器芯片,与逻辑芯片的大小一致,具有多个块元,其中多个块元的至少一个为未使用存储器块元。未使用存储器块元包括存储器阵列。存储器阵列包括多条字线、多条位线、分别形成在多条字线与多条位线的交叉处的多个存储器胞、多个位线均衡与预充电电路及多个感测放大器。多个存储器胞的每一个包括晶体管与电容器。多条字线全部被致能。各电容器的一端耦接到第一电容器电压,另一端经由晶体管耦接到提供给各位线的第二电容器电压。第一电容器电压与第二电容器电压分别经由第一与第二连接路径,与逻辑芯片连接。通过控制第一与第二电容器电压,以形成逻辑芯片的稳压电容器。

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