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美光开始量产HBM3E高带宽内存

标签： 日期：2024-02-27 08:58来源:未知作者:admin
美光科技2月26日宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称，其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30％。美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。

　　美光科技2月26日宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称，其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30％。美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。

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