国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119277769 A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一元件及至少一个凹槽晶体管。该元件包括一基底及多个字元线。该基底包括一阵列部分及围绕该阵列部分的一周边部分。该多个字元线设置于该阵列部分中。该周边部分没有字元线。该基底的该周边部分界定至少一个凹槽。该至少一个凹槽晶体管设置于该基底周边部分的该至少一个凹槽中。